薄膜压电mems | 代工 | 罗姆半导体集团 -ag旗舰平台尊龙

多年以来,罗姆专注于铁电材料相关的各项技术创新,并积极推进相关的研究和开发。罗姆的薄膜压电mems代工拥有自行研发的生产设备,其中融入了罗姆的技术优势和在异种材料管理系统方面的经验,拥有出色可靠性和稳定性,可以高度融合薄膜压电和lsi微细加工技术。罗姆承诺,通过与客户联合开发,将会实现“前所未有”、“从未体验过”、“超乎想象”的节能、小型且高性能的产品。

什么是压电?什么是mems? -电子小百科
介绍了压电和mems的基础知识、特点、用途、结构及特性。

 

承接开发和量产工作

主要技术和服务

包括使用了硅晶圆和soi晶圆等的mems器件的工艺规划、高性能压电薄膜的生产制造、压电mems器件的代加工和设计支持等在内,罗姆可提供从试制、开发到量产的全程支持。即使想了解罗姆ag旗舰平台尊龙官网和产品目录中未列出的个别工艺,也欢迎随时联系。

薄膜压电技术

  • ・溶胶-凝胶pzt
  • ・pzt掺杂
  • ・结晶度控制 等

read more

半导体工艺技术

  • ・光刻
  • ・刻蚀
  • ・溅镀(溅射镀膜) 等

read more

mems加工技术

  • ・晶圆级键合
  • ・深硅刻蚀
  • ・ald成膜
  • ・切割(划片) 等

read more

薄晶圆处理技术

  • ・承载晶圆工艺
  • ・特殊清洗
  • ・减薄工艺 等

read more

量产和开发生产线

在蓝碧石半导体宫崎工厂,罗姆建设了将自有薄膜压电技术与lsi生产线相融合的6英寸mems生产线。

位置 宫崎县宫崎市清武町
无尘车间 压电mems专用部分 1,360m2
清洁度等级 class 1-1,000
晶圆直径 6英寸
提供的服务 开发样品试制、量产
iso等 iso9001, iso14001
开发和量产经验 执行器、传感器
工艺技术 pzt压电薄膜、双面si加工、晶圆键合

从客户咨询到量产的流程

用专用mems生产线进行代工生产,支持从产品试制到量产的整个过程!

*以上流程为通常流程示例,实际流程将根据每个项目具体协商确定。
如需咨询、委托或提出要求,请随时填写咨询页面上的表格与我们联系。

拥有的设备

通过在生产线上配备mems工艺所需的设备和分析工具,能够为各种器件提出工艺建议并实现品质提升。

工艺分类 设备
成膜
溶胶-凝胶(pzt类)
pe-cvd (sio2、sin)
lp-cvd (sio2、sin、poly-si)
热氧化炉
溅镀(pt、ir、iro2、alcu、ti、tin 等)
ald(atomic layer deposition)
(al2o3、sio2、ta2o5)
防水涂层成膜
光刻
涂覆、显影
mpa (mirror projection aligner)
双面校准器、ir步进机、i-line步进式光刻机
干刻蚀
深硅刻蚀
层间膜rie装置
pzt和电极用的icp刻蚀机
湿刻蚀
硅氧化膜刻蚀
au离子刻蚀
硅各向异性刻蚀
晶圆键合
树脂键合
阳极键合
工艺分类 设备
减薄
全自动晶圆贴膜机
(uv胶膜、热剥离膜、聚酰亚胺膜等)
剥离、清洗
灰化
有机物、聚合物剥离
酸洗、清洗机
划片等
切割、二流体清洗
晶圆切割机(circle cut dicer)
计量相关
分析sem、测长sem、离子铣削
光学测长仪
偏差测量仪
可见光/红外光/激光显微镜
x射线衍射仪
激光式位移测量装置
x射线荧光分析仪
接触式台阶仪、光学干涉仪
椭偏仪
自动外观检测设备(支持正反面穿透晶圆)
各种电气特性评估装置
(探针台、测试仪)

试制和量产业绩示例

基于罗姆在喷头领域的量产业绩和对mems技术的钻研,罗姆目前正在与客户联合开发和试制评估小型、低功耗和高位移执行器产品。

工艺技术示例


【pzt stack截面】

罗姆于1998年在全球率先成功实现铁电存储器的量产。
在对硅晶圆使用pzt薄膜方面,拥有多年的经验和技术积累。
罗姆提供的溶胶-凝胶pzt膜是使用自行研发的生产设备成膜的,可实现世界超高水准的压电性能和可靠性。

项目 条件
压电常数:e31,f (-c/n) 19 10v/μm
逆压电常数:d31 (-pm/v) 260 10v/μm
介电强度:(v/μm) >75 室温
(受评估电源影响)
绝缘寿命:(年) >10 20v/μm, 105℃,
(通过加速试验估算)
循环寿命:(次) >1x1010 10v/μm, 位移减少10%
(单极脉冲)
漏电流密度:(a/cm2) <1x10-7 20v/μm
 

【晶圆键合截面】


【晶圆键合截面/台阶上】

罗姆拥有多种硅晶圆键合技术,即使是结构复杂的器件也可以进行晶圆级键合。
*可提供粘合剂涂覆和键合工艺ag旗舰平台尊龙的解决方案。


【400μm si贯穿】


【硅晶圆加工】

罗姆拥有多家公司的硅深刻蚀设备(包括自行开发的设备),可为产品提供最佳的硅刻蚀工艺(形状、公差、异物水平、成本)ag旗舰平台尊龙的解决方案。


【薄硅晶圆】

罗姆自行开发了晶圆运输设备,支持薄硅晶圆相关的工艺和晶圆键合。


【taiko磨削晶圆】


【硅形状截面】

即使在有复杂凹凸形状的器件上,也可以利用*ald形成均匀的保护膜。
*ald:atomic layer deposition(原子层沉积)

保护膜:保护设备免受外部因素(ink、接触造成的磨损、带电等)的影响。

单击此处查看ald成膜的详细介绍 -电子小百科

压电器件的仿真分析


【硅悬臂梁截面】

罗姆可以对压电器件进行有限元仿真,并为各种器件提供优化的结构和工艺ag旗舰平台尊龙的解决方案。

faq

q. 适用的晶圆尺寸、标准是什么?
a. 6英寸jeita标准(定位边长度为47.5mm)。
q. 可以对soi晶圆进行加工吗?
a. 可以。
q. pzt可以通过溅射成膜吗?
a. 目前尚不支持溅射成膜。
q. pzt可以使用指定的sol-gel液成膜吗?
a. 需要咨询。
q. 可以实现的pzt膜厚范围有多大?
a. 200nm~5μm的范围内均可实现,但考虑到成本,建议将2μm厚度作为标准。
q. 出厂前可以进行哪些检查?
a. 可以进行电气特性评估(容量、滞后、泄漏、电阻值等),以及外观检查(有自动设备)等。
q. 可以只委托进行试制吗?
a. 原则上优先承接可以量产的项目。
q. 可以单独提供特定工序的加工吗?
a. 因为是以量产为目标,原则上不单独承接部分工序,具体情况以咨询结果为准。
q. 可否制作掩膜?
a. 可以制作掩膜。
q. 制作掩膜采用什么数据格式?
a. 请以gds格式提供。
q. 需要nda和开发合同吗?
a. 进行到相应的开发步骤时需要。
q. 进行委托时可以参观工厂吗?
a. 可以。将根据委托内容按需实施。
q. 可以承接自有设备无法进行的处理吗?
a. 也可以使用部分外协和异地的装置。