rohm开发出具有业界超低导通电阻的nch mosfet，有助于提高应用设备工作效率-ag旗舰平台尊龙

2023年4月20日

全球知名半导体制造商rohm（总部位于日本京都市）新推出“ / 系列”共13款nch mosfet*1产品（40v/60v/80v/100v/150v），这些产品非常适合驱动以24v、36v、48v级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。

近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的mosfet被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“qgd”是引起mosfet功率损耗的两项主要参数，但对于普通的mosfet而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，rohm通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。

新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的hsop8封装和hsmt8封装，实现了仅2.1mω的业界超低导通电阻（ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，qgd*3（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（ron和qgd均为耐压60v的hsop8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，新产品在稳态工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。

新产品已于2023年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格500日元/个，不含税）。另外，新产品也已开始电商销售，从ameya360，sekorm， oneyac，rightic等电商平台均可购买。

未来，rohm将继续开发导通电阻更低的mosfet，通过助力各种设备降低功耗和更加节能，为环境保护等社会问题贡献力量。

＜产品阵容＞

产品型号 数据表 vdss
[v]		 id[a]
tc=25°c		 rds(on)[mω] qg[nc] qgd
[nc]		 封装名称
[mm]
vgs=10v vgs=10v vgs=6v vgs=4.5v
typ. max. typ. typ. typ. typ.
rs6g120bg 40 120 1.03 1.34 67 - 34 12
hsop8
（5.0×6.0×1.0）
rs6g100bg 100 2.6 3.4 24 - 11.8 4.3
rs6l120bg 60 120 2.1 2.7 51 - 25 7.3
rs6l090bg 90 3.6 4.7 28 - 14 4.1
rs6n120bh 80 120 2.8 3.3 53 33 - 10.1
rs6p100bh 100 100 4.5 5.9 45 29 - 11.7
rs6p060bh 60 8.2 10.6 25 16.2 - 6.3
rs6r060bh 150 16.7 21.8 46 30 - 12
rs6r035bh 35 32 41 25 16.2 - 6.4
rh6g040bg 40 40 2.8 3.6 25 - 11.8 4.5
hsmt8
（3.3×3.3×0.8）
rh6l040bg 60 5.5 7.1 18.8 - 9.2 2.7
rh6p040bh 100 12 15.6 16.7 10.9 - 4.4
rh6r025bh 150 25 46 59 16.7 11 - 4.4

＜应用示例＞

  • ◇通信基站和服务器用的电源
  • ◇工业和消费电子产品用的电机

以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。

＜电商销售信息＞

起售时间：2023年4月开始
电商平台：，，，
在其他电商平台也将逐步发售。

1枚起售

＜术语解说＞

*1) nch mosfet
通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的mosfet。
与pch mosfet相比，由于nch mosfet具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎。
*2) 导通电阻（ron）
mosfet导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的功率损耗越少。
*3) qgd（栅-漏电荷）
mosfet开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率损耗）越小。

＜产品视频＞

＜新产品参考资料"featured products"＞